三星新存储:200多层 512G仅0.8毫米 作为全球NAND闪存市场的一哥,三星在3D闪存上又要领先其他厂商了,日前在三星技术论坛上,三星公布了第八代V-NAND的细节,堆栈层数超过200层,容量可达1T... 数码 · 2021-12-11 · 已浏览 663 次 阅读全文
台积电第二代EVU3nm工艺 可大幅降低成本提升毛利率 根据花旗集团的最新报告,随着第二代EUV3nm工艺的准备就绪,台积电(TSMC)即将迎来月度营收的连续增长。撇开季节性的因素,成本降低起到了最大的作用。据悉,作... 数码 · 2021-10-04 · 已浏览 591 次 阅读全文